بررسی عددی ناخالصی بیس برای کمترین زمان گذر بیس
Numerical Investigate of Base Doping for Minimum Base Transit Time
چکیده
در این مقاله مقدار مطلوب ناخالصی بیس برای مینیمم کردن زمان گذر بیس ارائه شده است . تاثیر باریکی فواصل نوار انرژی ، تاثیر تزریق قوی ، و سرعت اشباع حامل در لبه ناحیه بیس در پیوند بیس-کلکتور ، و همچنین ناخالصی و قابلیت تحرک وابسته به میدان ، ملاحظه شده است . بیشتر ناخالصی اعم از خطی بودن ، تمرکز نمایی ناخالصی مورد بررسی قرار گرفتند . ما فرم ناخالصی یکنواخت ، نمایی و گوسین را در نظر می گیریم . زمان گذر بیس برای مقدار مطلوب فرم ناخالصی بررسی عددی شده است .
کلمه های کلیدی : زمان گذر بیس ، ترانزیستور دوقطبی پیوندی ، تزریق قوی
برای اطلاعات بیشتر با تلگرام بنده تماس حاصل فرمایید. danisignal@